【成果简介】
近日,来自清华大学医学院、中科院理化所及北京梦之墨科技有限公司的联合小组报道了一种利用液态金属表面氧化物与基板之间的冲击过程来印刷和制备硅片级薄膜半导体的新方法,相应研究阐明了液态金属液滴下降高度和后处理温度对氧化物层形成的影响,有望优化大面积β-Ga2O3薄膜制造方法。基于薄的β-Ga2O3层,通过比传统掺杂方法更容易、更快捷的方法成功实现了具有高迁移率(~21 cm2 V-1 s-1)和高开关比(~7×104)的晶体管器件。另外,论文揭示了附着有β-Ga2O3的硅片电性能的变化规律,其显示出较低的击穿电压。可以预期的是,此项成果将促进基于2D半导体材料的电子器件实用化。研究成果以“通过室温液态金属氧化层印刷准二维β-Ga2O3半导体构建电子器件”(Printing of quasi-two-dimensional semiconducting β-Ga2O3 in constructing electronic devices via room temperature liquid metals oxide skin)为题发表在国际知名期刊Physica Status Solidi (RRL) - Rapid Research Letters上,论文共同第一作者为清华大学博士生林聚及中科院理化所博士后李倩,通讯作者为清华大学教授及理化所研究员刘静。